Η παραγωγή του χωνευτήρα μείωσης SiC υιοθετεί τη μέθοδο της αντιδραστικής συγκόλλησης, χρησιμοποιώντας καρβίδιο του πυριτίου ως συστατικό, προσθέτοντας κατάλληλα πρόσθετα, επιλέγοντας συστατικά εύλογης ποιότητας σωματιδίων,σύστημα ανάμειξης και διαδικασία τυποποίησης, και ξήρανση του πράσινου σώματος σε ειδικό φούρνο οξειδωτικής ατμόσφαιρας (1350-1450 °C).Με τη βοήθεια της κεραμικής φάσης που συντρίβεται από την πρόσθετη ουσία και το φιλμ πυριτίου που σχηματίζεται από την οξείδωση της επιφάνειας επαφής των σωματιδίων SiC, τα σωματίδια SiC συνδέονται στενά μεταξύ τους για να σχηματίσουν ένα πυκνό κεραμικό μπλοκ και να αποκτήσουν υψηλή αντοχή.η καθαρότητα της επιλεγμένης πρώτης ύλης SiC πρέπει να είναι άνω του 97%Για το χωνευτήρα μείωσης SiC που παράγεται με αυτή τη μέθοδο, τα συστατικά εύλογης ποιότητας σωματιδίων έχουν μεγάλη επιρροή στην αντοχή του προϊόντος.Η επιλογή των τετραγωνικών σωματιδίων δεν αποτελεί μόνον προϋπόθεση για τη στενή συσκευασία των σωματιδίωνΤο υλικό δεν είναι εύκολο να προκαλέσει τοπική βλάβη, αντίθετα, θα επηρεάσει τις επιδόσεις του προϊόντος.Οι ακαθαρσίες στις πρώτες ύλες επηρεάζουν σημαντικά τις επιδόσεις του προϊόντος, επειδή οι προσμείξεις όπως το οξείδιο του σιδήρου θα σχηματίσουν ορισμένες στερεές φάσεις διαλύματος με χαμηλό σημείο τήξης, γεγονός που είναι δυσμενές για τις επιδόσεις του προϊόντος.η ποσότητα των προσμείξεων όπως το οξείδιο του σιδήρου θα πρέπει να ελέγχεται για να εξασφαλίζεται η καλή απόδοση του προϊόντος.
